长存创芯（北京）集成电路设计有限公司于2024年12月申请了一项名为“存储器操作方法、存储器及存储系统”的专利，公开号为CN119920289A，介绍了该专利涉及的存储器操作方法、其对提高OTP存储单元编程效率和减少功率泄露的作用，同时还介绍了该公司的基本情况，如成立于2019年，位于北京，从事软件和信息技术服务业，注册资本5000万人民币，专利信息有6条，行政许可8个等信息，消息源自金融界，作者为情报员。
据金融界2025年5月5日的消息，国家知识产权局的相关信息表明，长存创芯（北京）集成电路设计有限公司申请了一项专利。这项专利的名称为“存储器操作方法、存储器及存储系统”，公开号是CN119920289A，其申请日期为2024年12月。
从专利的摘要能够看出，本公开内容给予了一种存储器操作方法、存储器以及存储系统，这属于存储器技术领域的范畴。这种存储器包含存储单元阵列，在这个存储单元阵列里，存储单元是由相连接的控制栅极和存储栅极所构成的。具体的操作方法是这样的：要对存储单元阵列里被选定的存储单元的控制栅极施加第一电压，并且对选定存储单元的存储栅极施加时长为第一时长的第一编程电压。随后，要对选定的存储单元开展验证操作。如果这个验证操作的结果是未通过，那就需要对选定存储单元的存储栅极施加时长为第二时长的第二编程电压。这里要注意的是，第二时长是大于第一时长的，或者，第二编程电压是大于第一编程电压的。这种操作方法能够提升OTP存储单元的编程效率，还能够减少功率泄露的情况发生。
依据天眼查的资料显示，长存创芯（北京）集成电路设计有限公司在2019年就已经成立了，公司位于北京市。它是一家主要从事软件和信息技术服务业的企业。该企业的注册资本达到了5000万人民币。通过天眼查的大数据分析可以得知，长存创芯（北京）集成电路设计有限公司拥有6条专利信息，除此之外，企业还具备8个行政许可。
这篇文章的消息来源是金融界，作者是情报员。
本文总结了长存创芯（北京）集成电路设计有限公司申请专利的情况，包括专利的名称、公开号、申请日期、专利涉及的操作方法及优势，同时介绍了公司的成立时间、所在地、注册资本、专利数量和行政许可数量等基本信息，让读者对该公司及其新专利有一个较为全面的了解。
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