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东莞新科申请半导体基片的表面处理方法专利，可在半导体基片上形成结构稳定的栅极绝缘膜

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金融界2025年5月2日消息，国家知识产权局信息显示，东莞新科技术研究开发有限公司申请一项名为“半导体基片的表面处理方法”的专利，公开号CN119905393A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明半导体基片的表面处理方法，包括：在半导体基片的表面上形成氧化硅层；在所述氧化硅层上形成过渡层；在所述过渡层上形成硅基层；以及在所述硅基层上形成栅极绝缘层。本发明可在半导体基片上形成结构稳定的栅极绝缘膜，而且该方法操作简单、成本低、生产效率高。

天眼查资料显示，东莞新科技术研究开发有限公司，成立于2004年，位于东莞市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1050万美元。通过天眼查大数据分析，东莞新科技术研究开发有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息539条，此外企业还拥有行政许可43个。

本文源自：金融界

作者：情报员

原创文章，作者：Admin，如若转载，请注明出处：https://www.camerich.net/archives/2115.html

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